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【od体育官网】号称最强10nm工艺英特尔凭什么这么自信

发布时间:2021-11-03 01:56浏览次数:
本文摘要:据报导,英特尔正在为今年晚些时候公布10纳米工艺的Cannonlake处理器展开打算工作,并早已开始宣传其先进设备生产工艺的优势。英特尔将在10纳米工艺方面与三星等竞争对手决一胜负。例如,高通早已开始向客户交付给使用三星10纳米FinFET工艺的骁龙835处理器,并发售构建有48个内核的Centriq2400ARM服务器芯片尝试向英特尔传统领地发动反攻。但英特尔指出,它享有出众的生产工艺,期望外界理解这一点。

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据报导,英特尔正在为今年晚些时候公布10纳米工艺的Cannonlake处理器展开打算工作,并早已开始宣传其先进设备生产工艺的优势。英特尔将在10纳米工艺方面与三星等竞争对手决一胜负。例如,高通早已开始向客户交付给使用三星10纳米FinFET工艺的骁龙835处理器,并发售构建有48个内核的Centriq2400ARM服务器芯片尝试向英特尔传统领地发动反攻。但英特尔指出,它享有出众的生产工艺,期望外界理解这一点。

但是,如果问道英特尔是如何看来10纳米工艺的,英特尔不会称之为其10纳米工艺相比之下领先于竞争对手。事实上,英特尔在“TechnologyandManufacturingDay”中回应,其10纳米生产工艺比“其他公司”领先整整一代。英特尔还回应,在10纳米工艺方面,它有最低的功能密度,并采取措施保证在性能和成本方面相比之下领先于三星等竞争对手。

据英特尔称之为,其10纳米芯片生产成本比输掉较低30%。HotHardware回应,在谈及业界对摩尔定律否早已过热的忧虑时,英特尔继续执行副总裁斯塔西·史密斯(StacySmith)展开了驳斥,“按单个晶体管成本计算,我们的暴跌速度略快于历史水平。

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摩尔定律还有生命力。我们迈进的步伐更大,领先业界输掉3年时间。

”那么问题来了,英特尔如何证明其领先优势呢?除早已在使用第三代3DFinFET工艺外,英特尔还把晶体管栅极间距由14纳米工艺的70纳米增加至10纳米工艺的54纳米,大于金属间距(minimummetalpitch)由52纳米增大到36纳米。因此,英特尔10纳米工艺芯片逻辑晶体管密度是上一代14纳米工艺的2.7倍,是与其最相似竞争对手的2倍。HotHardware称之为,如上图右图,芯片生产工艺由45纳米发展到32纳米和22纳米时,芯片模区增大的比例都是0.62倍,但芯片生产工艺由22纳米发展到14纳米时,增大比例大幅度提高,生产工艺由14纳米发展到10纳米时,增大比例再度提高。

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这一超高的增大比例使得英特尔比起竞争对手生产更加小和密度更高的10纳米工艺芯片。英特尔称之为,10纳米工艺的更进一步优化,意味著与14纳米产品(例如Skylake和KabyLake)比起,将要公布的Cannonlake处理器性能不会提高最少25%,能耗不会减少45%。

未来,英特尔将研发被称作“10++”的“增强版”10纳米工艺,性能不会再行提高15%,能耗则不会再行减少最少30%。史密斯称之为,“我们总是不会考虑到以后3代工艺——7-9年。

目前我们在考虑到7和5纳米工艺。我们有可能还不十分确切哪种方法最合适5纳米工艺,但我们的文化因这些挑战而发展。


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